أكدت آخر التقارير الواردة من آسيا بأن شركة سامسونغ الكورية تواجه مصاعب حقيقية في تطوير عملية تصنيع 3 نانومتر، علمًا أنها أقل جودة من ناحية الأداء و السعر مقارنة مع عملية تصنيع 3 نانومتر بتقنيات FinFET من شركة TSMC التايوانية و التي تُخطط لبدء الإنتاج الواسع بهذه الدقة قبل نهاية العام القادم 2022 لتتوفر الرقاقات المصنوعة باستخدامها في 2023 في الأسواق.

بالطبع عملية تصنيع سامسونغ مختلفة و هي أقل كفاءة كما أسلفنا الذكر و لا يعني استخدام نفس الرقم أن الأداء التصنيعي متساوٍ بينهما و لكن مع ذلك فإن سامسونغ تواجه صعوبة حقيقية لتطوير دقة التصنيع، بالتأكيد هذا لا يُساعد في ظل الطلب الهائل على مصانع TSMC المزود الأكثر أهمية لأشباه الموصلات في عالمنا الحالي و بعد هذه الأنباء لا نستبعد أن تتأخر عملية تصنيع سامسونغ و أن لا تكون جاهزة للإنتاج التجاري الواسع في الوقت المُحدد.

و يُذكر بأن شركات Nvidia و AMD تتحضر من الآن لإطلاق بطاقاتها الرسومية المستقبلية باستخدام عملية تصنيع 3 نانومتر من TSMC إذ أشارت بعض التقارير سابقًا إلى أن بطاقات الرسوم RDNA4 ستأتي مع 3 نانومتر و كذلك باستخدام 5 نانومتر، كما أشارت تقارير أخرى إلى أن بطاقات نفيديا باستخدام 3 نانومتر قد تكون الجيل الأول من الشركة الذي يستخدم تصميم chiplet، الأمر الذي تخطط AMD للقيام به مع بطاقات RDNA3 المخططة للإطلاق في 2022 بدقتي تصنيع 5 و 6 نانومتر من شركة TSMC.